一維納米結構因其特殊的物理化學性能以及在光電器件上的潛在應用而受到科研人員的廣泛關注。武漢光電國家實驗室納米能源技術與功能納米器件團隊的沈國震教授領導的課題組與美國南加州大學電子工程系周崇武教授的小組合作，圍繞一維納米結構的組裝、光電器件的設計等科學問題，開展了一維納米結構的制備、器件制造工藝等探索研究，取得了一系列研究進展。

該課題組通過采用改進的激光燒蝕輔助化學氣相沉積法，在鍍金的硅片上生長了螺旋狀的In2O3納米線。研究發(fā)現(xiàn)所得到的納米線是由多節(jié)的納米線連接卷曲而成的。由于立方相In2O3中存在+（001）和-(001)的極性面，因此由于極性面的誘導造成納米線的卷曲而生成螺旋狀的納米線。該材料顯示了非?？斓墓庹T導表面浸潤性變化，在紫外光的照射下，水滴在材料表面的接觸角在14分鐘內由132.7度（疏水性）迅速降低為0度（親水性）。這一過程比其已見發(fā)表的報道快了將近30倍。以螺旋狀的In2O3納米線為活性層材料研制的場效應晶體管顯示了優(yōu)異的性能，其電子遷移率可達243cm2/vs。該研究成果于2011年2月18日正式發(fā)表在美國化學會期刊ACS Nano的網(wǎng)絡在線版上（http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn103358y）。
 

全透明電子學是近年來研究比較熱門的領域之一。它在透明顯示技術、透明超級電容器、紫外光探測器及太陽能電池等領域有著非常廣泛的應用前景。全透明電子學的發(fā)展離不開高性能納米材料的開發(fā)與應用。采用氣相沉積法，研究人員制備了點綴Ag納米粒子的單晶ZnO納米線，并用光刻技術研制了基于單根納米線的晶體管器件。發(fā)現(xiàn)該材料顯示了良好的金屬性能，其電阻率可低至6.8×10-4 Ωcm，擊穿電流密度可高達4.5×107 A/cm2。該材料有望取代ITO材料，用來研制透明導電薄膜。該工作發(fā)表在Journal of Physical Chemistry C (2010，114，21088－21093)。

該研究組還利用快速升溫氣體捕捉技術，在不依靠外延技術的條件下，在普通硅基片上生長了雙晶In2O3納米帶陣列。以此為活性物質的場效應晶體管的電子遷移率為20-70 cm2/Vs。在254nm的紫外光照射下，器件的導電性有很大的提高。有望在高性能紫外光探測器上得到應用。此工作已在Journal of Materials Chemistry (2010，20， 10888－10893)上發(fā)表。