“此次的‘FCVD（Flowable CVD）’在從1987年以來持續(xù)20多年的CVD技術(shù)歷史上，屬于第四代CVD技術(shù)。通過該技術(shù)，可以不再需要SOD（Spin On Dielectric，旋轉(zhuǎn)涂覆）”。美國應(yīng)用材料（Applied Materials，AMAT）全球產(chǎn)品經(jīng)理Tushar Mandrekar在接受專訪時如是表示，意味著FCVD對應(yīng)用材料來說是一項非常重要的戰(zhàn)略技術(shù)。

　　在半導體工藝的絕緣膜形成中，此前一直同時采用真空成膜技術(shù)的一種――CVD以及涂覆技術(shù)SOD。CVD在通過氣相產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物沉積后形成絕緣膜，SOD則是在涂覆液狀物質(zhì)后，對其進行燒結(jié)，最后形成絕緣膜。因此，SOD在原理上容易形成良好的嵌入特性，但同時為了形成液狀而添加的材料容易作為雜質(zhì)殘留在絕緣膜中，而且由于需要進行燒結(jié)，因此SOD在工序數(shù)量和成本方面也容易處于劣勢。

　　在這種情況下，此前擅長CVD的應(yīng)用材料等廠商，為了擴大CVD的應(yīng)用范圍而進行了技術(shù)革新。技術(shù)革新的結(jié)果是，迄今為止的CVD大致出現(xiàn)了三項技術(shù)。即等離子CVD，Ozone（O3）CVD，以及高密度等離子CVD。但是，即便利用這三項技術(shù)，也無法驅(qū)逐SOD。原因是這三項技術(shù)有一個缺點：反應(yīng)產(chǎn)物只是從上方沉積，因此像屋頂房檐一樣向前突出、或懸臂形狀的底部和側(cè)面則難以成膜。

　　而FCVD由于“從上方沉積的反應(yīng)物是液體”（Tushar Mandrekar），因此可以流動般地移動，懸臂形狀的底部和側(cè)面也可成膜。“對于各種絕緣膜形成工藝，我們擁有的四種CVD技術(shù)都可以對應(yīng)”（Tushar Mandrekar）。該公司表示，為了使反應(yīng)物形成液狀，對CVD的化學反應(yīng)和硬件兩方面進行了改進。（記者：長廣 恭明）