2020年11月04日,中來股份助理總經(jīng)理陳嘉博士主持CSPV分論壇,并以本場主題“24%+效率 N 型TOPCon 技術(shù)發(fā)展及量產(chǎn)化應(yīng)用”展開話題,向大家詳細(xì)介紹了中來股份在N 型TOPCon 技術(shù)上的最新研究成果。
陳嘉博士介紹到:“N型TOPCon的極限效率可達(dá)28.7%,比PERC, HIT技術(shù)更接近晶硅極限水平,非常具有發(fā)展?jié)摿Γ@也是中來一直專注于N型TOPCon技術(shù)研發(fā)的原因。中來TOPCon第一代產(chǎn)品基于LPCVD技術(shù),電池平均效率達(dá)到23.85%;而新一代J-TOPCon 2.0技術(shù)基于無繞度、原位摻雜等技術(shù),電池平均效率更是高達(dá)24.1%。”
關(guān)于J-TOPCon 2.0技術(shù),陳博士表示,“中來新一代J-TOPCon 2.0技術(shù)為解決N 型 TOPCon光伏產(chǎn)品量產(chǎn)瓶頸問題,與江蘇杰太光電技術(shù)有限公司合作,利用其獨(dú)創(chuàng)的線性等離子源技術(shù),共同開發(fā)了一套全新的等離子氧化和等離子輔助的原位摻雜鍍膜工藝(簡稱POPAID)。POPAID利用鏈?zhǔn)狡脚_傳輸載板, 能夠在不破真空情況下同時完成氧化和非晶硅摻雜,并且可以避免繞鍍。這一創(chuàng)新將現(xiàn)有TOPCon工藝的12道工序縮減成9道,不僅可以提升效率和良率,還使成本上有了大幅降低。”
POPAID的成功意味著很多,陳博士深有體會:“POPAID是一項(xiàng)偉大的創(chuàng)造,它實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)創(chuàng)新工藝,其中等離子氧化硅的形成(PO)對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍,真正實(shí)現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比,隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。達(dá)到了Voc 和FF的同時提升的效果,均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜(PAID),該設(shè)備采用等離子強(qiáng)化的鍍膜工藝,實(shí)現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積,退火后摻雜濃度可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4x1020原子/CM3,是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經(jīng)整合兩道工藝后,TOPCon電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上,從開路電壓(Voc),填充因子(FF)都能增加。良率也提高了2%。我們所做的一切努力都是為了推動N 型 TOPCon 技術(shù)的快速發(fā)展和量產(chǎn)化應(yīng)用,我們也非常愿意跟同行分享最新研發(fā)成果,共同推動能源改革,為習(xí)主席提出的爭取2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和的偉大目標(biāo)而努力。”
憑借這些年在N 型 TOPCon 技術(shù)研發(fā)上的巨大投入,中來股份一直在推動著N 型 TOPCon 技術(shù)的不斷發(fā)展及量產(chǎn)化應(yīng)用,目前已經(jīng)具備2.4GW的N 型 TOPCon電池和組件的產(chǎn)能,已經(jīng)成為全球最大的N 型 TOPCon電池和組件制造商。
陳嘉博士介紹到:“N型TOPCon的極限效率可達(dá)28.7%,比PERC, HIT技術(shù)更接近晶硅極限水平,非常具有發(fā)展?jié)摿Γ@也是中來一直專注于N型TOPCon技術(shù)研發(fā)的原因。中來TOPCon第一代產(chǎn)品基于LPCVD技術(shù),電池平均效率達(dá)到23.85%;而新一代J-TOPCon 2.0技術(shù)基于無繞度、原位摻雜等技術(shù),電池平均效率更是高達(dá)24.1%。”
關(guān)于J-TOPCon 2.0技術(shù),陳博士表示,“中來新一代J-TOPCon 2.0技術(shù)為解決N 型 TOPCon光伏產(chǎn)品量產(chǎn)瓶頸問題,與江蘇杰太光電技術(shù)有限公司合作,利用其獨(dú)創(chuàng)的線性等離子源技術(shù),共同開發(fā)了一套全新的等離子氧化和等離子輔助的原位摻雜鍍膜工藝(簡稱POPAID)。POPAID利用鏈?zhǔn)狡脚_傳輸載板, 能夠在不破真空情況下同時完成氧化和非晶硅摻雜,并且可以避免繞鍍。這一創(chuàng)新將現(xiàn)有TOPCon工藝的12道工序縮減成9道,不僅可以提升效率和良率,還使成本上有了大幅降低。”
POPAID的成功意味著很多,陳博士深有體會:“POPAID是一項(xiàng)偉大的創(chuàng)造,它實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)創(chuàng)新工藝,其中等離子氧化硅的形成(PO)對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍,真正實(shí)現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比,隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。達(dá)到了Voc 和FF的同時提升的效果,均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜(PAID),該設(shè)備采用等離子強(qiáng)化的鍍膜工藝,實(shí)現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積,退火后摻雜濃度可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4x1020原子/CM3,是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經(jīng)整合兩道工藝后,TOPCon電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上,從開路電壓(Voc),填充因子(FF)都能增加。良率也提高了2%。我們所做的一切努力都是為了推動N 型 TOPCon 技術(shù)的快速發(fā)展和量產(chǎn)化應(yīng)用,我們也非常愿意跟同行分享最新研發(fā)成果,共同推動能源改革,為習(xí)主席提出的爭取2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和的偉大目標(biāo)而努力。”
憑借這些年在N 型 TOPCon 技術(shù)研發(fā)上的巨大投入,中來股份一直在推動著N 型 TOPCon 技術(shù)的不斷發(fā)展及量產(chǎn)化應(yīng)用,目前已經(jīng)具備2.4GW的N 型 TOPCon電池和組件的產(chǎn)能,已經(jīng)成為全球最大的N 型 TOPCon電池和組件制造商。