2010年5月18日公司公告非公開發(fā)行6000萬(wàn)到9000萬(wàn)股，其中，控股股東中環(huán)集團(tuán)將認(rèn)購(gòu)10-20%的股份。計(jì)劃募集資金不超過11億元，其中1億元用于IGBT及光電子器件用區(qū)熔單晶硅項(xiàng)目，8億元用于太陽(yáng)能電池用硅單晶二期。

項(xiàng)目實(shí)施后將形成區(qū)熔單晶硅產(chǎn)能36噸/年，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后平均利潤(rùn)總額3467萬(wàn)元。公司在區(qū)熔硅領(lǐng)域具有個(gè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，規(guī)模全球第三，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率超過70%。區(qū)熔硅主要應(yīng)用領(lǐng)域在于電力電子領(lǐng)域，受到新能源和節(jié)能減排的推動(dòng)，市場(chǎng)需求一直穩(wěn)定增長(zhǎng)，我們預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)速度將保持在30%，我們認(rèn)為公司區(qū)熔硅2010年和2011年將分別增長(zhǎng)50%和30%。此外，歷史上公司的區(qū)熔硅盈利豐厚并比較穩(wěn)定。太陽(yáng)能硅材料生產(chǎn)方面公司已經(jīng)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。公告稱其直拉晶體生長(zhǎng)投資較目前國(guó)內(nèi)同行業(yè)低33%以上，生產(chǎn)效率較目前國(guó)內(nèi)同行業(yè)提高60%以上，而生產(chǎn)成本較目前國(guó)內(nèi)同行業(yè)降低了25%以上，根據(jù)目前行業(yè)內(nèi)通常的成本結(jié)構(gòu)測(cè)算，公司的毛利率應(yīng)至少具有10個(gè)百分點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)。

中環(huán)光電一期目前形成的硅單晶年產(chǎn)能為110MW，其中硅晶片年產(chǎn)能50MW。二期實(shí)施將新增390MW/年晶體產(chǎn)能（其中單晶增加290MW，鑄錠多晶增加100MW）、晶片產(chǎn)能150MW/年，并形成了內(nèi)部石英坩堝配套。項(xiàng)目建成后共具有晶體年產(chǎn)能500MW（其中單晶400MW，多晶 100MW）、晶片年產(chǎn)能200MW，等效400MW/年石英坩堝的生產(chǎn)能力。目前太陽(yáng)能硅片的價(jià)格約為5.6元/瓦，以此測(cè)算100MW硅片對(duì)應(yīng)銷售收入為5.6億元，項(xiàng)目實(shí)施將使公司的銷售收入急速增長(zhǎng)。

由于1期項(xiàng)目已經(jīng)有比較富余的配套投資，我們估計(jì)2期項(xiàng)目的實(shí)施時(shí)間應(yīng)該可以明顯少于公告的18個(gè)月，具體時(shí)間取決于公司對(duì)于市場(chǎng)形勢(shì)的判斷，也取決于公司對(duì)自身優(yōu)勢(shì)的判斷。值得注意的是公司同時(shí)公告了將為中環(huán)光電（太陽(yáng)能項(xiàng)目的具體實(shí)施者）申請(qǐng)銀行貸款3億元提供擔(dān)保，由于目前太陽(yáng)能硅片銷售非常通暢，我們預(yù)計(jì)資金將由富余，并可能使2期項(xiàng)目更快啟動(dòng)。

MOSFET生產(chǎn)線和拋光片目前都還在爬坡期中，我們預(yù)計(jì)10年4季度將進(jìn)入平衡點(diǎn)，在2011年貢獻(xiàn)利潤(rùn)。增發(fā)項(xiàng)目將大大提升未來(lái)增長(zhǎng)預(yù)期，我們初步估計(jì)2010-2011年每股收益分別為0.20元和0.60元（不考慮攤?。?，明顯相對(duì)低估，建議增持，詳細(xì)地分析參見我們隨后的研究報(bào)告。