利物浦大學(xué)的物理學(xué)家們已經(jīng)確定了限制摻氟二氧化錫導(dǎo)電性的因素。

 

研究人員發(fā)現(xiàn)，每兩個提供額外自由電子的氟原子中，就會有一個占據(jù)了二氧化錫晶體結(jié)構(gòu)中一個通常未被占據(jù)的晶格位置。而每一個這種所謂的“間隙”氟原子都捕獲一個自由電子，從而變成負電荷。這使電子密度降低了一半，也導(dǎo)致了剩余自由電子散射的增加，進而導(dǎo)致了氟摻雜二氧化錫的低導(dǎo)電率。

 

有了這一重要發(fā)現(xiàn)，就可尋找方法改進涂層透明度，以及將電導(dǎo)率提高5倍、使成本降低、提高觸摸屏、LED、光伏電池和節(jié)能窗等大量應(yīng)用的性能。研究團隊目前正在尋找能避免上述不良因素的新型替代摻雜劑。

 

除利物浦大學(xué)的物理學(xué)家們外，來自薩里大學(xué)離子束中心、倫敦大學(xué)學(xué)院和國際性玻璃制造商NSG Group的科學(xué)家們也共同參與了此項研究。