產(chǎn)品介紹:
HS-MWR-SIM無接觸少子壽命測(cè)試儀是一款功能強(qiáng)大的無接觸少子壽命測(cè)試儀，能夠?qū)尉Ч璋?、多晶硅塊及硅片提供快速、無接觸、無損傷單點(diǎn)少子壽命測(cè)試，其通過微波光電衰退特性原理來測(cè)量非平衡載流子壽命的，并且單晶硅棒、多晶硅塊無須進(jìn)行特殊處理。少子壽命測(cè)試量程從0.1μs到20ms,電阻率量程為>0.1Ω.cm,,是太陽能電池硅片企業(yè)、多晶鑄錠企業(yè)、拉晶企業(yè)不可多得的測(cè)量?jī)x器。

■ 無接觸和無損傷測(cè)量

■ 可移動(dòng)掃描頭，便于測(cè)量

■ 測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅片等少子壽命測(cè)量

■主要應(yīng)用于硅棒硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等

■ 性價(jià)比高，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本

■ 質(zhì)保期：1年

■溫度：15-30℃
■濕度：10%~80%
■大氣壓：750±30毫米汞柱

■少子壽命測(cè)試范圍:0.1μs-20ms

■測(cè)試尺寸:尺寸不限

■測(cè)試時(shí)間：1-30s(具體和信號(hào)質(zhì)量及測(cè)試精度有關(guān))

■ 電阻率范圍：>0.1Ω.cm

■ 激光波長：980±30nm,測(cè)試功率范圍：50-500mw,脈沖寬度調(diào)節(jié)范圍：0.5-60μs

■儀器測(cè)試精度：±3.5％

■工作頻率：10GHz±0.5

■微波測(cè)試單元功率：0.01W±10%

■電源：～220V 50Hz    功耗＜30W

■掃描頭尺寸：290mm *200mm *65mm, 電器控制單元: 210mm*220mm*60mm

■掃描頭重量：3KG，電器控制單元：1kg

河北，江西，江蘇，浙江，新疆等地拉晶鑄錠客戶。