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拉單晶專用鎵摻雜劑
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最后更新: 2012-03-08 09:05
 
詳細(xì)信息

拉單晶專用鎵摻雜劑(Ga Dopant
鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡(jiǎn)稱Ga。鎵質(zhì)軟,淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無(wú)毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。
光衰減率≤2%屬于檢測(cè)范圍內(nèi),可視為無(wú)衰減。正如拉制無(wú)位錯(cuò)單晶并非是零位錯(cuò)的,而是位錯(cuò)密度≤3000CM-2的單晶可視為無(wú)位錯(cuò)的。
用鎵代替硼作為摻雜劑來(lái)拉制太陽(yáng)電池單晶,可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問(wèn)題(因?yàn)楸苊饬伺鹧鯊?fù)合體-嚴(yán)重影響光衰減率的深能級(jí)的產(chǎn)生)。
本公司提供進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑,包括以下品種:
7N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑
8N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑


 
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