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太陽(yáng)能硅片WAFER缺陷檢測(cè)機(jī)(在線或離線)
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最后更新: 2011-06-29 06:39
 
詳細(xì)信息
對(duì)太陽(yáng)能硅片進(jìn)行檢測(cè)

太陽(yáng)能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產(chǎn)過(guò)程涉及到機(jī)械,濕化學(xué),熱學(xué)和電子物理過(guò)程,從硅碇上切割下的晶片,進(jìn)行蝕刻,摻雜。所有這些工藝過(guò)程,以及工藝間的晶片搬運(yùn),都會(huì)引入應(yīng)力,從而導(dǎo)致晶片的缺陷。例如:
-微裂紋
-針孔
-雜質(zhì)
-污垢
在制作電池片以前,必須對(duì)晶片進(jìn)行檢測(cè)分級(jí),穩(wěn)定可靠的識(shí)別缺陷。
右圖的樣品顯示的微裂紋,由于機(jī)械拉伸引起。這類(lèi)缺陷非常嚴(yán)重,因?yàn)榱鸭y就在潛的斷裂點(diǎn)。
樣品:晶片的微裂紋

Op-tection晶片檢測(cè)的在線和離線解決方案

晶片檢測(cè)系統(tǒng)依據(jù)太陽(yáng)能光伏工業(yè)需求進(jìn)行設(shè)計(jì),可集成到生產(chǎn)線上

實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè),也可構(gòu)建獨(dú)立離線式檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)一批晶片的缺陷進(jìn)行檢測(cè)。
這兩種情況都不需要生產(chǎn)線停頓,都可在生產(chǎn)運(yùn)
轉(zhuǎn)中實(shí)現(xiàn)測(cè)試。為了提供精確、穩(wěn)定的檢測(cè)結(jié)果,利用高分辨率的行掃描攝像頭,利用增強(qiáng)型近紅外光譜,并配備近紅外光學(xué)優(yōu)化透鏡,利用LED光源(避免鹵素光源照明的缺點(diǎn)),獲取穩(wěn)定、高分辨率圖象,實(shí)現(xiàn)精確檢測(cè)。

強(qiáng)大功能的缺陷分析處理軟件,包括信息預(yù)處理,濾波算法,以及高效的圖象數(shù)據(jù)分析處理算法分辨出灰度圖象非常近似的晶格和微裂紋。避免良品誤判,也避免缺陷晶片混入到下一步工藝— 電池片的生產(chǎn)中。增加良率,確保有效的質(zhì)量控制,降低了成本,從而實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)效率的提高。
 
用戶界面顯示了實(shí)際的檢測(cè)狀態(tài),包括測(cè)
試結(jié)果的統(tǒng)計(jì)。 圖象和測(cè)試參數(shù)都可存儲(chǔ)在PC的數(shù)據(jù)中,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)可訪問(wèn)數(shù)據(jù)庫(kù),并可實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的檢查和統(tǒng)計(jì)分析。

晶片檢測(cè)系統(tǒng)在線檢測(cè)方案


規(guī)格
晶片規(guī)格        5〞~6〞/100um~250um厚度
數(shù)據(jù)采集        <=1s (圖象記錄時(shí)間)
測(cè)試節(jié)拍        <=1.2 s (連續(xù)兩片晶圓間的間隔)
測(cè)試周期        <=2s(從開(kāi)始檢測(cè)到檢測(cè)結(jié)果顯示)
缺陷類(lèi)型        微裂紋,大裂紋,針孔,雜質(zhì)
光學(xué)裝置
攝像頭            高分辨率線陣攝像頭,4096象素
分辨率            40um/象素
照明                LED條形光源(近紅外光)
透鏡               高分辨率透鏡
電子設(shè)備
-PC                 19〞工業(yè)PC,WinXP操作系統(tǒng),19〞顯示器
-UPS電源         PC和攝像頭使用不間斷電源(UPS)
接口                數(shù)字I/0接口,24V光耦合信號(hào)
網(wǎng)絡(luò)                10/100/1000 Mbit,RJ 45 連接頭
電源                115~230VAC/50-60Hz/<1200W
尺寸
測(cè)量傳感器部分 400mm×500mm×500mm(寬長(zhǎng)高),或采用客戶定制尺寸
照明部分          400 mm×400mm×200mm(寬長(zhǎng)高),或采用客戶定制尺寸


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